SK海力士大手笔赴美建首座HBM先进封装厂
韩国存储大厂SK海力士近日宣布，斥资38.7亿美元在美国印第安那州兴建新先进内存封装厂，预期2028年下半年开始营运，有望生产HBM4和HBM4E内存产品。
该厂将不加工带内存电路的晶圆，而是从其他地方（如韩国SK海力士晶圆厂）获得这些晶圆，再用已知良好堆叠裸晶组装HBM。
部分用于AI和高性能运算的最先进处理器都采用HBM内存，如AMDMI300系列和英伟达H100/H200、B100/B200系列产品。在美国设HBM封装厂将使高带宽内存的供应链更具弹性，但从SK海力士声明看，该公司将继续在韩国生产HBM内存设备。
该工厂预期成本将大幅超越英特尔、台积电封装厂成本，加上HBM4和HBM4E内存堆叠将采用2048位接口，比现有HBM3、HBM3E复杂，因此需要更复杂的封装设备。也因此，预期SK海力士印第安那州厂投产后，将成为世界上最先进的半导体封装工厂之一。
SK海力士执行长KwakNoh-Jung指出，很高兴能成为业内首间在美国为AI产品建立先进封装设施的企业，期盼新工厂能推进公司AI内存芯片目标，服务客户的需求。
该厂将位于印第安那州的西拉法叶（WestLafayette），SK海力士表示，之所以选择此处，是因为印第安那州拥有强大工业基础设施，包括以普渡大学和常春藤技术社区学院为首的研发生态系统、半导体专家，及州政府和地方政府的大力支援。
此外，SK海力士还与普渡大学签署研发专案，并与常春藤技术社区学院（IvyTechCommunityCollege）合作，开设培训课程和多学科学位课程，培养高科技领域的熟练劳动力。
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