MDD整流二极管的反向恢复过程有哪些呢？
MDD二极管从正向导通到截止有一个反向恢复过程是什么？产生反向恢复过程的原因是哪些呢？
1.整流二极管从正向导通到截止有一个反向恢复过程
在上图所示的硅二极管电路中加入一个如下图所示的输入电压。在0―t1时间内，输入为+VF，二极管导通，电路中有电流流通。
通常把二极管从正向导通转为反向截止所经过的转换过程称为反向恢复过程。其中tS称为存储时间，tt称为渡越时间，tre=ts+tt称为反向恢复时间。由于反向恢复时间的存在，使二极管的开关速度受到限制。
2.产生反向恢复过程的原因——电荷存储效应
产生上述现象的原因是由于二极管外加正向电压VF时，载流子不断扩散而存储的结果。当外加正向电压时Ｐ区空穴向Ｎ区扩散，Ｎ区电子向Ｐ区扩散，这样，不仅使势垒区（耗尽区）变窄，而且使载流子有相当数量的存储，在Ｐ区内存储了电子，而在Ｎ区内存储了空穴，它们都是非平衡少数载流于，如下图所示。
空穴由Ｐ区扩散到Ｎ区后，并不是立即与Ｎ区中的电子复合而消失，而是在一定的路程LP（扩散长度）内，一方面继续扩散，一方面与电子复合消失，这样就会在LP范围内存储一定数量的空穴，并建立起一定空穴浓度分布，靠近结边缘的浓度最大，离结越远，浓度越小。正向电流越大，存储的空穴数目越多，浓度分布的梯度也越大。电子扩散到Ｐ区的情况也类似，下图为二极管中存储电荷的分布。
我们把正向导通时，非平衡少数载流子积累的现象叫做电荷存储效应。
TO-277SMAFSOD-123FLABSMBF整流桥线性稳压ICMOS管三极管轴向系列新品肖特基二极管SOD系列贴片桥瞬变抑制管轴向式整流管整流管小信号开关管双向触发管轴向式二极管肖特基桥三极管贴片系列新品方桥瞬变抑制管贴片式玻璃钝化整流管快恢复管小信号肖特基双向触发管贴片式快恢复桥场效应管静电管ESD肖特基LOWVF稳压二极管SOD系列圆桥高压整流管高效率整流管玻封稳压管桥堆TRENCHSKY小信号开关管SOD系列扁桥快恢复管超快恢复整流管塑封稳压管IC三极管SOT系列玻璃钝化快恢复管肖特基管TVS管稳压二极管SOT系列高效率整流管稳压二极管场效应管SOT系列超快恢复整流管静电管小信号开关管SOT系列肖特基管开关管稳压管肖特基二极管SOT系列稳压电路高压管