详解单结晶体管的电极判断和性能检测
使用万用表可以方便地对单结晶体管进行电极判断和性能检测。
电极判别判断单结晶体管E、B1、B2电极的方法比较简单。首先，将万用表拨在R×1k电阻挡上，依次测量管子任意两个电极间的正、反向电阻。若某两电极间的正、反向电阻相等，而且阻值为2～15kΩ，则该两电极分别为B1及B2，剩下的一个电极应该是发射极E。然后根据发射极E和每个基极之间是一个PN结，其正、反向电阻应有明显差别的特点，可进一步断定该极为发射极E。顺便指出，此时测出的PN结的正、反向电阻值，都含有N型硅基片的部分体电阻，因而都比普通整流二极管的阻值偏大一些。其正向电阻为几千欧，反向电阻则更大。
在单结晶体管的制造过程中，一般使发射极E靠近基极B2，而远离基极B1。因而E至B2的正向电阻较小，而E至B1的正向电阻则较大。根据这一点，可区别开基极B1、B2。具体方法是，黑表笔接发射极E，红表笔依次接两个基极B1、B2。比较两个正向电阻的大小，与较小阻值相对应的红表笔所接触的电极为基极B2，另一电极则为基极B1。
应当指出，上述判别基极B1、B2的方法不一定对所有单结晶体管都成立，有个别管子E至B1间的正向电阻值较小。不过准确地判别单晶体结管的两个基极哪个是B1、哪个是B2，在实际应用中并不怎么重要。这是因为，即使B1、B2颠倒了，也不会使管子损坏，只影响输出的脉冲幅度(在脉冲电路中，单结晶体管多作脉冲发生器使用，产生尖脉冲)。当发现输出的脉冲幅度较小时，只要将原来假定的B1、B2对调过来就可以了。
极间电阻的测量国产单结晶体管的RBB在3～10kΩ范围内。
如上所述，单结晶体管发射极和两基极间的正向电阻和发射极和两基极间的反向电阻都比普通整流二极管的正、反向电阻大一些。国产BT-310、BT-32B、BT-33B实测极间电阻值见表5-6，供测量时对照参考。需要说明的是，这些数据是用108-1T型万用表测的，108-1T型万用表的特性是：中心阻值为12Ω，R×10k挡表内用15V电池，其他挡用1.5V电池。如果用特性不同的万用表测试，发射极和基极间正向电阻数据可能不一样。
表5-6单结晶体管极间电阻值
注：“—”表示阻值读数极大，约为∞。
性能好坏的检测因为单结晶体管是一个具有负阻特性的元件，所以只测量极间电阻和检查PN结的好坏还不够，还需要进一步测量它的工作特性，也就是有无负阻特性。
用万用表粗略判断单结晶体管有无负阻特性的方法如下。电路如图5-30所示，万用表用R×1或R×100挡(表内电池是1.5V)，这相当于在E和B1之间加上一个固定的1.5V的电压UE。与此同时，在B2、B1之间外加4.5V电源(即UBB)，此时，万用表指示应为∞，表示管子在UE
分压比η粗测方法设计电路或调试电路时，有时需要知道单结晶体管分压比η的具体数值。对性能良好的单结管，使用万用表可测量一下η的范围。当UEUP时管子导通，UEUP，此时发射极所接电源就是万用表内电池，UE=1.5V，而管子的UP=ηUBB+0.7V，把这些已知条件代入公式，则1.5Vη·3V+0.7V，解这个方程式可得η0.27。
图5-30单结晶体管性能好坏的检测图5-31单结晶体管η粗测电路
如上所述，管子在UBB=4.5V时是截止的，如图5-30所示，即，把两个结果结合起来即0.18η0.27。
如果万用表指针仍无指示，再把UBB减低于1.5V，万用表有指示，按上述方法计算可知此管0.27η0.53。如果表针仍不动，则此管η0.53。
具体操作时，均应先接通基极间电源后接万用表，否则有可能使测量结果不准。