WINSOK WSP4953A P沟道 MOSFET
具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDSON和栅极电荷
WSP4953A是性能优异的沟道P-chMOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDSON和栅极电荷。WSP4953A符合RoHS和绿色产品要求，并获得全功能可靠性认证。
特性：
先进的高电池密度沟渠技术
超低栅极电荷
卓越的CdV/dt效应下降
VDS：-30V；VGS：±20V；ID：-5.8A
RDS(ON)=85mΩ@-3.5A,-4.5V
工作温度：-55℃~150℃
应用：
MB/NB/UMPC/VGA高频点负载同步Buck变换器；DC-DC电源系统；负载开关等
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