东芝电子设备与存储公司（“东芝”）推出了“SSM10N961L”，这是一种低导通电阻、30VN沟道共漏MOSFET，适用于带USB的设备和保护电池组。
到目前为止，东芝的N沟道共漏MOSFET系列一直专注于12V产品，主要用于保护智能手机的锂离子电池组。30V产品的发布实现了对电压高于12V的应用的更广泛选择，例如USB充电设备电源线的负载切换，以及笔记本电脑和平板电脑中锂离子电池组的保护。
实现具有低漏极-源极导通电阻（RDS（on））的双向开关需要两个MOSFET，3.3×3.3mm或2×2mm，具有低RDS（接通）。东芝的新产品使用了一种新的小型薄封装TCSPAG-341501（3.37mm×1.47mm（典型），t=0.11mm（典型）），在单封装公共漏极配置中具有9.9mΩ的低源极导通电阻（RSS（on））
USB电源传输（USBPD）支持15W（5V/3A）到最大240W（48V/5A）的电源范围，是为需要高电源的设备开发的。USBPD指定了用于交换电源和接收侧的角色交换功能，并要求具有USB充电的设备支持双向电源，以便双方都可以供电和接收电源。新产品是一种N沟道共漏MOSFET，支持双向电源，安装面积小。
将该产品与东芝TCK42xG系列的驱动IC相结合，形成了一个具有防回流功能的负载切换电路或一个电源多路复用器电路，可以在先接通后断（MBB）和先断后接通（BBM）之间切换操作。东芝今天发布了基于该产品组合的功率多路复用器电路（使用公共漏极MOSFET）的参考设计。参考设计的使用将有助于减少产品设计和开发时间。
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