金融界2024年2月22日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“半导体装置“，授权公告号CN220510031U，申请日期为2023年6月。
专利摘要显示，本公开实施例提供一种半导体装置，包括第一栅极全环场效晶体管及第二栅极全环场效晶体管。第一栅极全环场效晶体管与第二栅极全环场效晶体管中的每一者包括设置于基板上方并且在基板上方垂直排列的多个半导体纳米片或多个半导体纳米线、栅极结构以及源极/漏极外延层。第一栅极全环场效晶体管中与源极/漏极外延层接触的多个半导体纳米片或多个半导体纳米线的数量，小于第二栅极全环场效晶体管中与源极/漏极外延层接触的多个半导体纳米片或多个半导体纳米线的数量。气隙设置于第一栅极全环场效晶体管及第二栅极全环场效晶体管中的源极/漏极外延层下方。
本文源自金融界
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