长鑫存储申请半导体结构及其制备方法、半导体存储器专利,专利技术能够减小位线寄生电容,提高器件的感应裕度

金融界2024年3月15日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其制备方法、半导体存储器“,公开号CN117715409A,申请日期为2022年9月。

专利摘要显示,本公开实施例提供了一种半导体结构及其制备方法、半导体存储器,该半导体结构包括:衬底;形成于衬底上方的多个器件结构、多个位线结构和多个字线结构,且器件结构沿第一方向延伸,字线结构沿第二方向延伸,位线结构沿第三方向延伸,器件结构包括电容区和有源区,位线结构与沿第三方向排布的有源区电连接;其中,至少部分位线结构周围形成气隙。本公开实施例能够减小位线寄生电容,提高器件的感应裕度。

本文源自金融界

发布于 2025-01-01
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