2010年起因为从2G进入3G时代(2010～2013)，带动智慧行动装置高速起飞，带动了射频前端代工厂商业绩腾飞。但是2013后因为有Si制程的PA高性价比的替代品出现(CMOSPA/MMPA)，使得出现产业替代危机。
但到了2013年后，压抑产业的不利因子逐渐消失淡化(因为高通与Skyworks推出Si制程MMPA，CMOSPA，主打高性价比策略)。紧接着，时代潮流转进高频多频带无线通讯后(eg4G)，不管是高中低阶，4G手机渗透率开始起飞，更有利的是所需PA元件用料从以往3G的3～5颗，4G要变多到4～6颗，其他像是，基地台的射频模组等等也是需要多加用料。这就增长了对射频器件的需求。
由于3-5族的元件物理特性远优于Si制程元件(低耗、体积小、放大效率佳、高频线性度佳等等)，故风水转回3-5族元件，这就让相关的产业链厂商大放异彩。其中砷化镓晶圆代工龙头稳懋就是最大的受益者。
稳懋：全球最大的砷化镓晶圆代工龙头
稳懋成立于1999年10月，是亚洲首座以六吋晶圆生产砷化镓微波通讯晶片的晶圆制造商，自2010年为全球最大砷化镓晶圆代工厂。
公司主要从事砷化镓微波集成电路(GaAsMMIC)晶圆之代工业务，提供HBT、pHEMT微波集成电路/离散元件与后端制程的晶圆代工服务，应用于高功率基地台、低杂讯放大器(LNA)、射频切换器(RFSwitch)、手机及无线区域网路用功率放大器(PA)与雷达系统上。
砷化镓电晶体制程技术分为三类：
A.异质接面双极性电晶体(HBT)
B.应变式异质接面高迁移率电晶体(pHEMT)
C.金属半导体场效电晶体(MESFET)。
公司所提供是HBT和pHEMT，频谱范围由1GHz到100GHz，满足低频到高频应用。
射频模组中的各电路产品中，功率放大器(PA)系以HBT来设计，而微波开关器(RFswitch)则利用D-modepHEMT来设计。
公司领先全球研发于六吋砷化镓基板，同时制作二种以上高效能之元件，以整合晶片制程上之技术，并缩小射频模组电路面积、降低成本。公司在0.25微米的pHEMT制程拥有领先技术，在制程缩微方面，也已经切入0.1微米领域，高阶制程持续领先同业。
稳懋为全球第一大砷化镓晶圆代工厂，制程与技术都自行开发而非客户技转(宏捷科由Skyworks技转)，全球产生量市占率约20%，代工市场市占率50%以上，目前月产能约24000片。产品应用为手机相关营收50-55%，WiFi比重30-35%，利基型产品(Infrastructure)15-20%。另外，HBT用于手机PA，营收占比60-70%，PHEMT主要用于switch，营收占比20-30%，BiHEMT用于利基型产品例如IOT，营收占比小于5%。客户包含Avago(营收占比约30%～40%为最大客户)、Skyworks、RFMD、Anadigics、Murata等国际大厂与中国白牌手机供应商RDA。
2013年度砷化镓元件市场(含IDM)总产值为64.7E美元，较2012年成长11%，其中稳懋产值市占率为5.4%排行第五。
2013年代工市场规模为5.65E美元，其中稳懋市占率为62.4%，为全球大一大砷化镓晶圆代工厂商。
拜产线多样化与产品组合优化外，该公司毛利率稳定维持在30～35%左右，营业利益率与净利率也尚属平稳。
2016年，公司宣布跨入光通讯市场，并自建EPI，主要提供美国、日本、加拿大客户客制化一条龙生产服务，包括磊晶、二次磊晶及光电元件制造，材料及元件特性描述、测试服务;其中，磊晶与光电制造能力可供2、4吋的磷化铟基板使用。