三星取得磁性结存储器专利，能实现在稳定磁状态间的切换

金融界2024年1月11日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“提供磁性结的方法以及使用该磁性结制造的存储器“的专利，授权公告号CN109817805B，申请日期为2018年11月。

专利摘要显示，描述了提供磁性结的方法和使用该磁性结制造的存储器。该方法包括提供钉扎层、非磁性间隔层、以及在稳定的磁状态之间可切换的自由层。非磁性间隔层在钉扎层与自由层之间。提供钉扎层和/或提供自由层包括冷却磁性结的一部分、当磁性结的所述部分冷却时沉积润湿层、氧化/氮化润湿层、以及在氧化物/氮化物润湿层上沉积无硼磁层。磁性结的所述部分被冷却到包括不大于250K的温度(们)的温度范围内。润湿层具有至少0.25个单层且不多于三个单层的厚度。润湿层包括至少一种磁性材料。无硼磁层具有大于平面外退磁能的垂直磁各向异性能。

本文源自金融界