基于前两篇文章介绍,无线通讯系统后端(Back)使用基频晶片来处理数位讯号,前端(Front)则所使用的集成电路(IC)大致上可以分为“射频晶片”与“中频晶片”两大类,分别使用不同材料的晶圆制作:
中频晶片(IntermediateFrequency,IF):又称为“类比基频(Analogbaseband)”,概念上就是“高频数位类比转换器(DAC)”与“高频类比数位转换器(ADC)”,包括:调变器(Modulator)、解调器(Demodulator),通常还有中频放大器(IFamplifier)与中频带通滤波器(IFBPF)等,通常由矽晶圆制作的CMOS元件组成,可能是数个积体电路,其些可能整合成一个积体电路(IC)。
射频晶片(RadioFrequency,RF):又称为“射频集成电路(RFIC)”,是处理高频无线讯号所有晶片的总称,通常包括:传送接收器(Transceiver)、低杂讯放大器(LNA)、功率放大器(PA)、带通滤波器(BPF)、合成器(Synthesizer)、混频器(Mixer)等,通常由砷化镓晶圆制作的MESFET、HEMT元件,或矽锗晶圆制作的BiCMOS元件,或矽晶圆制作的CMOS元件组成,目前也有用氮化镓(GaN)制作的功率放大器,可能是数个积体电路,某些可能整合成一个积体电路(IC)。
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