MOS管的导通损耗与结电容，你了解多少？
当MOS管导通后，即使Rds（on）很小，但是在大电流的情况下，依旧会存在损耗，这就是MOS管的导通损耗。
它是由MOS管的Rds（on）决定的。
mos管的ds间有个体二极管，假设D指向S，那么其方向与ds方向相反，并且体二极管的正向不导通，反向导通，此外它与普通的二极管类似，它也有钳位电压。这个钳位电压与其流过的电流相关。体二极管上流过的电流越大，钳位电压就越高。
这是因为体二极管本身具有内阻。
假设体二极管的压降为0.7V，那么功耗就是P=0.7V*I。
因此功耗也是由负载决定的，而且相当大。我们可以将体二极管的功耗叫为续流损耗。
那么，如何设置体二极管的参数呢？
一般为了安全起见，体二极管的电流可以接近或者等于DS之间的电流。
接下来看GS的电容问题。
我们知道MOS管也分为高压MOS和低压MOS
我们假设功率都为3KW
低压为24V电流是125A
高压为310V，电流是9.7A
可以看出，低压电流大，高压电流小。
那么是不是可以认为当电流较大时，等效内阻就小，而当电流较小时，内阻就大。
因此，低压mos内阻较小，高压mos内阻较大。
其次，从耐压上看一般为多个串联，从电流上看，一般为多个并联，
低压mos内阻小，多个管子并联，耐压很难会做高；高压mos耐压高，多个管子串联，内阻会很大。
因此高压mosRds（on）大，gs电容大
低压mosRds（on）小，gs电容小
一般结电容大的mos管开通会比较慢，结电容小的则相反。
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