长鑫存储申请磁随机存储器及其制备方法专利，可提升存储单元的排布密度

金融界2024年2月9日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“磁随机存储器及其制备方法“，公开号CN117545280A，申请日期为2022年8月。

专利摘要显示，本申请提供一种磁随机存储器及其制备方法，涉及半导体存储技术领域，用于解决磁随机存储器的存储单元的排布密度小的技术问题。所述磁随机存储器包括衬底，所述衬底具有多个有源区，每个有源区设置有第一控制开关，第一控制开关包括形成在有源区的第一栅极、第一漏极及源极，其中第一栅极与写入字线连接；多个存储单元，每个存储单元包括自旋轨道耦合层、磁性隧道结，自旋轨道耦合层配置为分别与位线、第一漏极连接；第二控制开关包括PN结，第二控制开关用于连接读取字线和磁性隧道结。本申请实施例中通过第一控制开关和第二控制开关对存储器的读、写路径分别控制，可减少读操作时控制开关的占用面积，进而可提升存储单元的排布密度。

本文源自金融界