长鑫存储申请磁随机存储器及其制备方法专利,可提升存储单元的排布密度

金融界2024年2月9日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司申请一项名为“磁随机存储器及其制备方法“,公开号CN117545280A,申请日期为2022年8月。

专利摘要显示,本申请提供一种磁随机存储器及其制备方法,涉及半导体存储技术领域,用于解决磁随机存储器的存储单元的排布密度小的技术问题。所述磁随机存储器包括衬底,所述衬底具有多个有源区,每个有源区设置有第一控制开关,第一控制开关包括形成在有源区的第一栅极、第一漏极及源极,其中第一栅极与写入字线连接;多个存储单元,每个存储单元包括自旋轨道耦合层、磁性隧道结,自旋轨道耦合层配置为分别与位线、第一漏极连接;第二控制开关包括PN结,第二控制开关用于连接读取字线和磁性隧道结。本申请实施例中通过第一控制开关和第二控制开关对存储器的读、写路径分别控制,可减少读操作时控制开关的占用面积,进而可提升存储单元的排布密度。

本文源自金融界

发布于 2025-01-23
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