长鑫存储取得晶体管结构专利,晶体管中形成的漏极沉入凹槽增加了源极及漏极的节点接触的面积

金融界2024年4月1日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司取得一项名为“一种采用埋入式位线的晶体管结构及其制造方法“,授权公告号CN108878424B,申请日期为2018年6月。

专利摘要显示,本发明提供一种采用埋入式位线的晶体管结构及其制造方法,该晶体管结构包括衬底、隔离结构、漏极沉入凹槽、第一字线沟槽、第二字线沟槽、埋入式字线、位线沟槽及埋入式位线。本发明的制造方法通过形成漏极沉入凹槽改变晶体管的结构,使得晶体管具有埋入式的位线,晶体管中形成的漏极沉入凹槽增加了源极及漏极的节点接触的面积,并有利于字线的蚀刻,减少沟道漏电。本发明的采用埋入式位线的晶体管结构可以应用在不同形状的有源区,并可以应用在不同的电学电路。

本文源自金融界

发布于 2025-01-21
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