消息称三星3nm工艺初期良率10-20%，现已提升3倍

IT之家3月22日消息，消息源@Tech_Reve近日发布推文，表示三星3nm工艺初期良率为10-20%，近期已提高了3倍多，但相比较采用FinFET技术的台积电，其良率依然偏低。

消息源表示三星寄希望于第二代3nm技术，性能，功耗和面积（PPA）指标相当于台积电的N3P工艺。知情人士透露三星第二代3nm工艺与4nmFinFET技术相比，能效和逻辑面积提高了20-30%。

IT之家此前报道，三星计划今年下半年量产第二代3nm工艺。三星电子DS部门下属Foundry业务部负责人崔时荣表示三星的第二代3nm和首代2nm是两个不同的工艺，此前收到日本AI企业PreferredNetworks的2nmAI芯片订单，也是三星的首个2nm订单。