还搞不懂 IRF3205场效应管？一定要看这一文，参数+引脚功能，秒懂
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今天是IRF3205场效应管，主要是以下几个方面：
1、IRF3205什么是管子？
2、IRF3205引脚图说明
3、IRF3205CAD模型
4、IRF3205场效应管参数
5、IRF3205用什么管子替代
6、IRF3205工作原理及结构
7、IRF3205场效应管特性曲线
8、IRF3205逆变器电路图
9、IRF3205继电器驱动电路
10、IRF3205仿真模拟电路图
11、IRF3205驱动电路
12、IRF3205其他应用
一、IRF3205什么是管子？IRF3205是一种N沟道功率MOS管，采用TO-220AB封装，工作电压为55V和110A。特点是其导通电阻极低，仅为8.0mΩ，适用于逆变器、电机速度控制器、DC-DC转换器等开关电路。
IRF3205是一种容易买到，价格较低的MOSFET，具有低导通电阻。但是IRF3205具有高阈值电压，因此不适用于嵌入式控制器的开/关控制。
IRF3205引脚图说明
二、IRF3205引脚图说明IRF3205场效应管总有3个引脚，具体的如下所示：
IRF3205引脚图说明
IRF3205引脚图说明
三、IRF3205CAD模型1、IRF3205电路符号
IRF3205电路符号
2、IRF3205封装尺寸
IRF3205封装尺寸
3、IRF32053D模型
IRF32053D模型
四、IRF3205场效应管参数N沟道功率MOSFET器件
漏源击穿电压(VBR(DSS))为55V
栅极到源极电压(Vgs)为+/-20V
栅极的阈值电压（Vg(th)）为2至4V
漏极电流(Id)为110A
脉冲漏极电流(IDM)为390A
功耗为(PD)为200W
漏源导通电阻(RDS(ON))8mΩ
门体漏电流(IGSS)为100nA
总栅极电荷(Qg)为146nC
反向恢复时间(trr)为69至104ns
峰值二极管恢复(dv/dt)为5V/ns
上升时间(tr)为101ns
结壳热阻(Rthjc)为75℃/W
结温（TJ）在-55至175℃之间
1、电压规格
IRF3205MOSFET的电压规格是栅源电压为+/-20V，漏源击穿电压为55v，栅极阈值电压在2到4V之间。
从IRF3205MOSFET的电压规格可以看到IRF3205是一种常见的功率器件。
2、电流规格
IRF3205MOSFET的电流值为漏极电流为110A，脉冲漏极电流值为390A，这些电流规格表明IRF3205MOSFET是一种大电流功率器件。
漏源漏电流为25uA，栅源正向漏电流为100nA，该功率器件的漏电流值较小。
3、功耗规格
IRF3205MOSFET的功耗为200W，TO-220功率MOSFET封装使其成为功耗更高的器件。
4、漏源到导通电阻
漏源导通电阻为8mΩ，是MOSFET显示的电阻值。
5、结温
IRF3205MOSFET的结温为175℃。
6、反向恢复时间(trr)
IRF3205MOSFET的反向恢复时间为69至104ns，这是开始导通之前放电所需的时间量。
7、总栅极电荷(Qg)
IRF3205MOSFET的总栅极电荷为146nC，需要向栅极注入以开启MOSFET所需的总栅极电荷。
五、IRF3205用什么管子替代IRFB3206、IRFB3256、IRFB3307、IRF1405、IRFB3306和IRFB3006等MOSFET器件是IRF3205的等效器件。
大多数这些MOSFET具有几乎相同的电气规格，因此我们可以将它们等效使用。
在下表中，我们列出了每个MOSFET的电气规格然后进行对比，例如IRF3205与IRFB1405与IRFB4310，比较将帮助我们选择最适合我们的等效产品。
每个IRF3205、IRFB1405和IRFB4310MOSFET的电压规格几乎相同。IRFB4310MOSFET的电流规格和功耗值高于其他两个MOSFET器件，IRFB1405MOSFET的导通电阻值较高。
六、IRF3205工作原理及结构IRF3205MOSFET与普通MOSFET不同，IRF3205MOSFET的栅极层有厚氧化层，可以承受高输入电压，而普通MOSFET的栅极氧化层很薄，不能承受高压，即施加高电压会极大地影响整体性能。设备。
IRF3205MOSFET中的栅极、源极和漏极类似于BJT（双极结型晶体管）中的基极、集电极和发射极。
源极和漏极由n型材料制成，而元件主体和衬底由p型材料制成。在衬底层上添加二氧化硅使该器件具有金属氧化物半导体结构。IRF3205MOSFET是一种单极器件，通过电子的运动进行传导。
在器件中插入绝缘层，使栅极端子与整个主体分离。漏极和源极之间的区域称为N沟道，它由栅极端子上的电压控制。
与BJT相比，MOSFET保持领先，因为BJT不需要输入电流来控制剩余两个端子上的大量电流。
IRF3205工作原理及结构
七、IRF3205场效应管特性曲线1、IRF3205MOSFET的输出特性
下图显示了IRF3205MOSFET的输出特性，该图是用漏源电流与漏源电压绘制的。
在固定的电压范围内，电压值会相对于电流值增加。电流值增加到一定限度并变得恒定，同时电压将增加到无穷大范围。
IRF3205MOSFET的输出特性
2、IRF3205MOSFET的导通电阻特性
下图显示了IRF3205MOSFET的导通电阻特性，该图绘制了漏源导通电阻与结温的关系。
在峰值电流值处，电阻从某个极限开始，温度值向更高的值增加。导通电阻值随着结温的增加而增加，这表明在MOSFET的启动阶段电阻较低，然后会向上限增加。
IRF3205MOSFET的导通电阻特性
八、IRF3205逆变器电路图下图为使用IRF3205的逆变电路，该图显示了使用TL494PWM模块的逆变器电路，该模块带有一个由IRF3205MOSFET制成的h桥。
1TL494模块用于产生PWM脉冲并转发到H桥电路，基于IRF3205MOSFET的H桥将PWM脉冲转换为交流信号。
IRF3205逆变器电路图
九、IRF3205继电器驱动电路下图为使用IRF3205MOSFET的继电器驱动电路，MOSFET接在线圈端地。
IRF3205继电器驱动电路
十、IRF3205仿真模拟-设计H桥IRF3205是用于快速开关的N沟道Mosfet，因此被用来设计H桥。
这里设计了这个Proteus模拟，将直流电压转换为交流电压，如果仔细观察，在H桥中使用了IRF3205MOSFET：
IRF3205仿真模拟-设计H桥
同时，将IRF5210用于H-桥中的计数器。如果你运行仿真，在示波器上应该会显示交流正弦波，如下图所示：
IRF3205仿真模拟-设计H桥
十一、IR3205其他应用高速开关器件
电源装置
UPS
升压转换器
太阳能逆变器
速度控制器电路
电机驱动器
电池充电器电路
电池管理系统（BMS）