mos管具体的开通过程是怎样的呢？
微碧VBsemi。
上期我们了解了mos管的开通过程，这次我们来讲mos管的关断过程。欢迎来到微碧科普小天地。事实上，mos管的关断过程就是将开通过程四个阶段的反向操作，因此我们还是围绕四个阶段来讲解。
·t1阶段：关断延迟。将CISS电容从初始值放电到米勒平坦电平。在放电过程中，栅极电流由Ciss电容器自己提供，并流经mos管的Cgs和Cgd电容器。当过区电压逐渐降低时，mos管的漏极电压有所上升，但漏极电流保持不变。
·t2阶段：mos管的漏源电压上升到最终的Vds，电平关闭。在此期间，栅极电流完全是Cgd电容器的充电电流，与栅极电压波形中的米勒平坦区域对应。因为栅源极电压是恒定的。
·t3阶段：栅极电压继续从Vgs米勒期间下降至Vth。绝大部分栅极电流来自Cgs电容器，因为Cgd电容器实际上在前一个阶段中就已经充满电了，漏极电压在Vds，漏极电流下降到接近0。
·t4阶段：对器件的输入电容，也就是Ciss完全放电。Ciss进一步下降，直至达到0V，器件的漏极电流和漏极电压保持不变。
这就是mos管的关断过程了，并不复杂。
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