台积电取得存储器件专利，可通过用介电材料取代部分源极/漏极层来形成内间隔层

金融界2023年12月20日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“存储器件及其形成方法”，授权公告号CN113380827B，申请日期为2021年3月。

专利摘要显示，一种用于形成存储器件的方法，包括：在衬底上方依次形成第一层堆叠件和第二层堆叠件，其中第一层堆叠件和第二层堆叠件中的每个包括在衬底上方依次形成的介电层、沟道层和源极/漏极层；形成延伸穿过第一层堆叠件和第二层堆叠件的开口，其中，开口包括在第一层堆叠件和第二层堆叠件的边界内的第一开口，以及从第二层堆叠件的侧壁向第一开口延伸的第二开口；通过用介电材料取代由开口暴露的源极/漏极层的部分来形成内间隔层；用铁电材料加衬开口的侧壁；以及通过用导电材料填充开口，在第一开口中形成第一栅电极并在第二开口中形成伪栅电极。本发明的实施例还涉及一种存储器件。

本文源自金融界