卓胜微申请绝缘体上硅结构及其制备方法专利,有效减少浮体效应

金融界2023年12月23日消息,据国家知识产权局公告,江苏卓胜微电子股份有限公司申请一项名为“绝缘体上硅结构及其制备方法“,公开号CN117276287A,申请日期为2023年9月。

专利摘要显示,本申请涉及一种绝缘体上硅结构及其制备方法,包括:绝缘体上硅衬底,绝缘体上硅衬底包括埋氧层,埋氧层内埋设有第一栅极;晶体管结构,位于绝缘体上硅衬底上,晶体管结构包括有源层及第二栅极,第二栅极与第一栅极在绝缘体上硅衬底的正投影存在交集,且交集区域位于有源层在绝缘体上硅衬底的正投影内部,第二栅极电连接至第一栅极。本申请将位于埋氧层内的第一栅极同第二栅极进行连接,使得二者电位相同,从而达到对体区电势的控制,有效减少浮体效应。同时,可以使得栅极电压对于电子沟道的控制回到线性。

本文源自金融界

发布于 2025-03-15
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