金融界2023年12月23日消息，据国家知识产权局公告，江苏卓胜微电子股份有限公司申请一项名为“绝缘体上硅结构及其制备方法“，公开号CN117276287A，申请日期为2023年9月。
专利摘要显示，本申请涉及一种绝缘体上硅结构及其制备方法，包括：绝缘体上硅衬底，绝缘体上硅衬底包括埋氧层，埋氧层内埋设有第一栅极；晶体管结构，位于绝缘体上硅衬底上，晶体管结构包括有源层及第二栅极，第二栅极与第一栅极在绝缘体上硅衬底的正投影存在交集，且交集区域位于有源层在绝缘体上硅衬底的正投影内部，第二栅极电连接至第一栅极。本申请将位于埋氧层内的第一栅极同第二栅极进行连接，使得二者电位相同，从而达到对体区电势的控制，有效减少浮体效应。同时，可以使得栅极电压对于电子沟道的控制回到线性。
本文源自金融界
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