华为芯片半导新专利:晶体管的制备方法、芯片和终端

友商的回旋镖不能提天天吃,娱乐喧嚣过后,老周就用下班时间给大家多聊聊我们在国之重器上的进展吧:

2019年制裁正式开启后,很多团队都迅速投入自主半导体赛道的研发中,多项专利技术在21年年如雨后春笋般涌现。

在2021.11.26,华为提交了一项名为“晶体管的制备方法、芯片和终端”的核心技术专利直到今日才选择公布。

专利详情

本申请实施例提供了一种晶体管的制备方法、芯片和终端,涉及半导体技术领域,可以在第一掺杂层与第二掺杂层间形成结面清晰的PN结。一种晶体管的制备方法,其特征在于,所述晶体管包括有源层,所述有源层包括冷源极,所述冷源极的制备方法包括:在衬底上形成半导体层;所述半导体层包括源区,所述源区至少包括第一注入区和与所述第一注入区邻接的第二注入区;对所述半导体层中位于所述第一注入区的部分进行第一类型的掺杂,得到第一掺杂层;对所述半导体层中位于所述第二注入区的部分进行第二类型的掺杂,得到第二掺杂层;所述第一掺杂层和所述第二掺杂层互为P型掺杂和N型掺杂。

简单聊聊半导体

晶体管的制备过程相当复杂,主要包括以下几个步骤:首先是选择合适的半导体材料,如硅、锗等,并进行清洗、抛光等表面处理。接下来,在半导体表面制备一层薄薄的绝缘层,作为栅氧层。然后,通过光刻技术在绝缘层上形成栅极图案。随后,在栅极周围制备一层导电材料,作为源极和漏极。最后,将各个端口连接起来,形成完整的晶体管。

在芯片中,晶体管发挥着至关重要的作用。它们可以组成各种逻辑门、放大器、开关等电路,实现信号的处理和控制。随着制程技术的不断发展,晶体管尺寸不断缩小,性能得到大幅提升。如今,芯片中的晶体管数量已经超过了数百亿亿,让电子产品变得越来越小巧、高效。

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发布于 2024-11-16
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